![]() Method of forming metal coating on dielectric
专利摘要:
公开号:WO1989004588A1 申请号:PCT/JP1988/001128 申请日:1988-11-10 公开日:1989-05-18 发明作者:Osamu Yamato;Tetsuji Takino 申请人:Oki Electric Industry Co., Ltd.; IPC主号:H05K3-00
专利说明:
[0001] 明 細 書 誘電体への金属皮膜形成方法 [0002] 技 術 分 野 [0003] 本発明は、 VHF帯か ら比較的低周波のマイ ク ロ 波帯 に使用 して好適な誘電体フ ィ ル タ の金属皮膜形成方法 に関する。 背 景 技 術 [0004] まず、 従来の誘電体フ ィ ル タ の構成を第 3 図を用い て説明する 。 同図中、 1 は入力端子、 2 は出力端子、 ' は入力段の誘電体共振器、 4 は出力段の誘電体共振 器、 5 , 6 , 7 , S は段間の誘電体共振器、 9 , 1 0, J J , _Z 2 , J 3 は結合ハ0 ター ン 、 1 4 , 1 5 , 1 6 , 1 7 , 1 8 , 1 9 は周波数ハ。 タ ー ン で あ り 、 各誘電体 共振器の中心か ら延長 して誘電体端面に形成される。 この誘電体フ ィ ルタ の動作は、 入力端子 J よ ]) 印加さ れた電気信号が一体構造の誘電体内に設け ら れた入力 段の誘電体共振器 3 に よ ]) 電磁界を発生 し、 この電磁 界は隣接の段間誘電体共振器 5 間に設定 した結合ハ°タ ー ン 9 を介 して段間誘電体共振器 5 へ伝え られる 。 段 間誘電体共振器 5 に達 した電磁界は段間誘電体共振器 6 との間に設定 した結合ハ。 タ ー ン 2 0 を介 して隣接の 段間誘電体共振器 7 へ伝え られる。 順次、 この よ う 動作を繰 ] 返 しながら電気信号を段間誘電体共捱器 S を経て出力段の誘電体共振器 4 に伝え、 誘電体フ ィ ル タ の 出力に設けられた負荷へ電気エ ネ ル ギーを供給す るのである。 こ こ で、 上記誘電体フ ィ ル タ に設け られ る金属皮膜の形成方法について説明する。 [0005] 従来、 前記入力端子 1 、 出力端子 2 、 結合 ターン 9 , 1 0 , 1 1 , 1 2 , 2 3 、 周波数ハ0 タ ー ン 4 , 1 5 , 1 6 , 1 7 , 1 8 , ·Ζ 5 及び外導体 2 0 の金属 皮膜を形成する方法と して、 無電解銅メ ツ キに よ ] 下 地金属皮膜を形成 し、 金属皮膜不要部へ有機溶剤除去 型レ ジ ス ト イ ン クを設け、 電解銀メ ツ キに よ ] 各電極 を形成した後、 有機溶剤除去型レ ジス 卜 イ ン クを洗浄 溶剤 ( 判えば、 ト リ ク ロ ロ エ チ レ ン ) に よ 溶解除去 し、 金属皮膜不要部の銅皮膜をエ ッ チ ン グに よ !) 除去 を行い、 製造する方法を適用 していた。 [0006] この様る方法を開示 している先行技術文献と しては、 列えば、 特開昭 58 - 1 7 9 0 0 1 号、 特開昭 58- 182901 号、 特開昭 6 1 - 8 0 9 0 1 号な どが挙げられる。 [0007] しか しなが ら、 前記金属皮膜形成方法に よ 製造す る場合、 有機溶剤除去型レ ジス ト イ ンク を用いて る ため、 製造工程内に湿式 ( メ ッ キ ) 闋係設備と溶剤設 備とが必要と 、 排水、 排気関係、 液管理関係設備 等を別 々 に設ける こ とにな ] 、 自動化を行 う上で設備 費が高 く ¾ る とい う欠点があ った η [0008] ま た、 有檨溶剤に よ る レ ジ ス ト 除去時、 前工程 での 水滴残 ] 部等に よ ピ ン ホ ー ル状の残渣が生 じやす く . こ の残渣が生 じ た場合、 銅のエ ッ チ ン グ が完全に でき ず、 エ ッ チ ン グ残渣 と ] 、 電気特性上 (Q ) 不良を起 こ す品質低下を招 く 原因 と る 。 更に 、 自 動化が困難 で あ ] 、 コ ス ト 高に る と い つ た問題点;^ あ っ た。 [0009] 本発明は 、 上記問題点を 除去 し、 レ- ジ ス ト 除去時の 残渣を る く し、. 品質が高 く 、 かつ 、 g 動化が可能で、 安価に製造 し得る誘電体への 金属皮膜形成方法を提供 する こ と を 目 的 と する 。 発 明 の 開 示 [0010] 本発明は 、 誘電体への金属皮膜形成方法において 、 誘電体の全表面上に無電解メ ツ キ層を 形成 し、 金属皮 膜形成部以外の部分に ア ル 力 リ 除去型メ ッ キ レ ジ ス ト イ ン ク を塗布 し、 その レ ジ、 ス ト イ ン ク に よ マ ス ク さ れた金属皮膜形成部に電解メ ツ キ層を 形成 し 、 前記レ ジ ス ト イ ン ク及び無電解メ ツ キ層 を エ ッ チ ン グ し 、 所 定ハ。 タ 一 ン を形成する よ う に した も の で ある 。 [0011] こ の こ と に よ !) 、 本発明に よ 形成さ れた金属皮膜 には エ ツ チ ン グ残渣が く 、 膜厚が均 一で優れた電気 的特性を得る.こ と 力 で き る 。 図面の簡単 ¾ 説明 [0012] 第 1 図は本発明を適用 し た誘電体フ ィ ルタ の断面図 第 2 図は本発明に係 る誘電体への 金 属皮膜形成工程図. 第 3 図は従来の誘電体フ ィ ル タ の斜視図、 第 4 図はそ の誘電体フ ィ ル タ の銅皮膜厚さ対 Qii特性図である。 発明を実施するための最良の形態 [0013] 以下、 本発明の実施例について図面を参照 し ¾がら 詳細に説明する。 [0014] 第 1 図は本発明を適用 した誘電体フ'イ ル ク の断面図、 第 2 図は第 1 図の誘電体フ ィ ル タ の A部を对象と した 本発明の一実施例を示す誘零体への金属皮膜形成工程 図であ る。 [0015] これらの図において 、 2 J は誘電体コ ア、 2 2 はそ の誘電体コ アの全表面に形成された無電解銅メ ッ キ、 ' [0016] 2 3 はア ル カ リ 除去型メ ツ キ レ ジ ス ト イ ン ク 、 2 4 は 銀皮膜、 は入力端子、 3 2 は出力端子、 3 3 は誘 電体コ アの底面に メ ツ キで形成される外導体、 3 4 は 円柱中空部内表面にメ ッ キ で形成される内導体、 3 [0017] 3 6 , 3 7 , 3 8 , 3 9 , 4 0 は周 ¾数調 用 タ ー ン 、 4 1 , 4 2 , 4 3 , 4 4 , 4 5 は結合部であ 、 いずれ も メ ツ キで形成されてい る。 [0018] これ らの構成に よ 、 こ の誘電体コ アは各共振器の 共振周波数と各共振器間の結合量に よ 周波数の遺択 特性を有 し、 フ ィ ル タ と して動作する。 つま ] 、 入力 端子 3 1 よ j 印加された電磁波はこの フ ィ ル タ に よ 選択され、 伝送又は減衰する。 [0019] 以下、 本発明の誘電体への金属皮膜形成工程を第 2 図に基づいて順を追 つ て説明する 。 [0020] —殺に 、 焼結完了 した誘電体 コ アは 、 誘電体 を形成 する 際の成形型の金属粉、 油等の付着物が、 - 後に形成 する 金属皮膜の密着力低下、 無負荷 Q の低下につ が るた め 、 洗浄溶剤 ( 卜 リ ク ロ ル エ チ レ ン又は 卜 リ ク 口 口 ェ タ ンっ に よ る超音波洗浄や煮沸洗浄及び ア ル 力 リ 洗浄 ( NaOH : 水酸化ナ ト リ ウ ム ) に よ ]) 付着物を 除去 され、 更に、 後 に形成する 金属反嫫の 密着力を 向上さ せる ため、 誘電体 コ ア表面を酸に よ ] 粗化さ れる 。 そ して 、 ま ず第 2 図(a)に示す よ う に、 上記 した処理を行 つた誘電体 コ ア 2 1 を用意す る 。 [0021] 次 に、 第 2 図(b)に示す よ う に 、 その誘電体コ ア 2 1 の全表面に電気伝導度が高 く 、 皮膜の 密着力が強 ぐ 、 安価で メ ツ キ液の安定性にす ぐれ、 しカゝ も 後の エ ッ チ ン グ除去が容易 で ある無 ¾解銅 メ ツ キ 2 2 を 施す。 [0022] 実験結果に よ れば、 銅皮膜の厚さ に よ 、 無負荷 Q は変化 し、 第 4 図に示す よ う に 、 瘌皮膜が厚 く る と 無負荷 Q は低下する特性を有する ため 、 必要以上に厚 く する こ と は で き い 。 ま た、 銅皮膜が薄い場合は 、 密着力が弱 く な る ため 、 この実施例に おいては 、 厚さ 0. 3 〜 1 im を形成 した。 [0023] 次に 、 銅メ ツ キ後は、 第 2 図( に示す よ う に 、 前記 各ハ。 タ ー ン を形成する ために 、 ア ル カ リ 除去型 メ ツ キ レ ジ ス 卜 イ ン ク 〔 3 0 〜 4 の エ チ レ ン グ リ コ ー ソレ' モ ノ プ チ ル ェ 一 テ ル SP R - 5 30 CMT - A (山栄ィ匕学 ) 〕 2 3 を厚さ約 5 0 〜 : L 0 0 tm ス ク リ ー ン印刷に よ ]9 金属皮 膜形成部以外の部分に塗布 し乾燥する 。 [0024] アル カ リ 除去型メ ツ キ レ ジス ト イ ン ク は、 塗布及び 剝離作業の容易性及び耐メ ッ キ性か ら熱乾燥型ィ ン ク で あ ]) 、 この アル カ リ 除去型メ ツ キ レ ジ ス ト イ ン ク を 用 る と 、 溶剤除去型に比べメ ツ キ ラ イ ンに組める等 自 動化が容易に図れ る大き ¾ メ リ ッ 卜 が あ る。 [0025] 次に、 アル カ リ 除去型メ ツ キ レ ジ ス ト イ ン クを 印刷 及び乾燥した後 、 第 2 図( に示す よ う に、 電解銀メ ッ キ法に よ 銀皮膜 2 4 を均一に厚付け形成す る 。 こ の 銀皮膜 2 4 は電気伝導度及び半 田付け性に優れてお ] 、 例えば、 膜厚 5 〜 3 ' 0 η に形成する 。 [0026] 次に、 第 2 図(e)に示す よ う に、 前記アル カ リ 除去型 メ ツ キ レ ジス ト イ ン クをア ル カ リ 、 例えば、 水酸化ナ 卜 リ ゥ ム水溶液で除去 し、 無電解銅メ ツ キ 2 2 を露出 させる 。 その際、 ア ル カ リ 除去型メ ツ キ レ ジ ス ト イ ン ク はアル力 リ に よ つて完全に化学分解される ため、 有 機溶剤に よ る洗浄 と は異 、 残渣が生 じな い。 ― ア ル カ リ 除去型メ ッ キ レ ジス ト ィ ンク を 除去した後、 第 2 図(f)に示す よ う に、 下地の銅皮膜を エ ッ チ ン グ し、 誘電体コ ア 2 _Z が露出 したハ。タ ー ン を形成する 。 こ の 場合 エ ッ チ ン グ方法は 、 銀皮膜を溶解させず、 銅単 体を エ ッ チ ン グする 液を選択する 。 こ の実施例におい て は、 硫酸系を用 い、 誘電体 コアに銅が残 ら い よ う 浸漬 して行 っ た。 以上の方法に よ ] 金属皮膜を形成するが、 湿式法で 形成する ため、 吸湿 した水分を最終工程と して、 真空 乾燥 ( 1 8 0 ±1 0 °C , 4 時間 , 2 0 mHg) を施 し、 無負荷 [0027] Q の劣化を防止する よ う に した。 産業上の利用可能性 [0028] 以上、 詳細に説明 したよ う に、 本発明に よれば、 誘 電体への金属皮膜形成方法において、 誘電体の全表面 上に無電解メ ツ キ層を形成 し、 金属皮膜形成部以外の 部分にア ル 力 リ 除去型メ ツ キ レ ジ ス ト イ ン ク を塗布 し. そのレ ジ ス ト ィ ン クに よ j マ ス ク された金属皮膜形成 部に電解メ ツ キ層を形成 し、 前記レ ジス ト イ ン ク及び 無電解メ ツ キ層を エ ッ チ ン グ し 、 所定ハ。 タ ー ンを形成 する よ う に したので、 前記ア ル カ リ 除去型メ ツ キ レ 'ク ス ト イ ン ク が 、 エ ッ チ ン グ の際完全に化学分解される ため、 エ ツ チ ン ダ残渣が生 じず、 形成する金属皮膜の 膜厚を均一と する こ とができ る。 [0029] ま た、 処理工程を一連の湿式ラ イ ンに よ ] 構成する こ とがで き るの で、 自 動機の導入が可能と ] 、 量産 化に対応で き 、 低価格化を図 る こ とがで き る。 [0030] ま た、 本発明は金属皮膜が形成される誘電体か ら成 る コ ン デ ン サ , 圧電累子等へ も応用 で き る 。
权利要求:
Claims 請 求 の 範 囲 1. (a) 誘電体の全表面上に無電解メ ッ キ層を形成する 工程と 、 (b) 金属皮膜形成部以外の部分にア ル カ リ 除去型メ ッ キレ ジス ト ィ ンクを塗布する工程と、 (e) 該レ ジ ス ト ィ ン ク によ マ ス クされた金属皮膜 形成部に電解メ ツ キ層を形成する工程と 、 (d) 前記レ ジ ス ト イ ン ク及び無電解メ ツ キ層をエ ツ チ ン グし、 所定ハ。 タ ー ンを形成する工程 とを施すよ う に したこ とを特徴 とする誘電体への金属皮膜形成 方法。 2. 前記工程(a)において銅皮膜を形成した後、 工程(c) によ つて銀皮膜を形成 して所定のハ。ター ンを形成す る こ と を特徵とする特許請求の範囲第 1 項記載の誘 電体への金属皮膜形成方法。 3. 工程(d)において、 前記 レ ジ ス ト ィ ンク をア ル カ リ に よ つて化学分解する エ ッ チ ン グ工程を含むこ と を 特徵とする特許請求の範囲第 1 項記載の誘電体への 金属皮膜形成方法。
类似技术:
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同族专利:
公开号 | 公开日
引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
法律状态:
1989-05-18| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): JP KR US | 1989-05-18| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE FR GB IT LU NL SE |
优先权:
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申请号 | 申请日 | 专利标题 相关专利
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